마이크로투나노, 엔비디야향 HBM3 프로브카드 SK하이닉스 공급

[아이뉴스24 고종민 기자] 마이크로투나노가 엔비디아 그래픽처리장치(GPU)에 들어가는 SK하이닉스의 5세대 고대역폭 메모리 HBM3용 프로브카드 공급을 진행하고 있다.

23일 IT업계에 따르면 마이크로투나노는 HBM3용 프로브카드를 SK하이닉스에 납품하고 있다.

해당 사안에 정통한 업계 관계자는 "마이크로투나노가 HBM3용 프로브카드는 SK하이닉스에 이미 공급 중이고, 현재는 HBM3E용 프로브카드를 개발 중"이라며 "HBM3E용 제품은 연내 개발 완료를 목표로 하고 있는 것으로 안다"고 말했다.

기반 기술은 초소형 정밀기계 시스템(MEMS, Micro-Electro-Mechanical System)이다. 또한 프로브카드는 반도체 전공정 마지막 단계에서 웨이퍼 내 칩들의 성능을 전기적 신호로 테스트하는데 사용되는 소모성 부품이다. 프로브카드 니들팁(Needle Tip)을 웨이퍼와 정밀하게 정렬하는데 MEMS 기술이 활용된다. 프로브카드가 자동화테스트장비(ATE)에 부착돼, 가공이 끝난 반도체 웨이퍼의 내구성·전기적 불량 검사를 돕는다.

마이크로투나노는 그동안 HBM, 초고사양 D램용 프로브카드 개발을 위해 시설 투자와 연구개발을 확대해 왔다. 특히 국내 종합반도체 기업인 SK하이닉스의 주요 비즈니스 파트너사(BP)로서 최근 HBM과 같은 AI용 고집적화된 반도체 생산에 두각을 보이는 고객사의 반도체 검사장치 수요에 대응을 해 왔다.

마이크로투나노의 프로브 카드 매출 100%가 낸드향이었으며 현재 HBM용 프로브 카드까지 SK하이닉스에 공급하고 있다. SK하이닉스 낸드 메모리 프로브카드 점유율은 약 40%로 1위를 차지하고 있다. 해외 경쟁사는 미국 폼팩터(FormFactor), 일본 MJP, 일본 JEM 등이며 국내 경쟁사는 코리아인스트루먼트(Korea Instrument), 티에스이, 피엠티 등이다.

D램향 테스트 프로브 카드의 경우, 외국 업체들이 대부분 공급하고 있는 상황이었다. 이를 극복하기 위해 국내 업체들이 경쟁에 뛰어든 상황이며 마이크로투나노가 대표적으로 낙점된 셈이다.

낸드와 달리 D램이 불모지인 이유는 기술력 때문이다. 낸드 테스트 핀(Pin)은 약 4~6만개 정도이며, D램은 약 10만개 이상을 요구한다. 차세대 기술로 꼽히는 MEMS가 필수이며 SK하이닉스는 D램 프로브카드 국산화를 진행하면서 마이크로투나노를 포함한 복수의 업체를 국산화 개발 기업으로 선정했다. 국산화 진행 이유는 신규 개발 대응, 가격, 납기, 애프터서비스(A/S) 등을 꼽는다.

엔비디아가 불러 일으킨 HBM(D램을 다단으로 쌓은 고성능 메모리) 증설 흐름이 SK하이닉스의 D램 전체 생산 능력 확충으로도 연결되고 있어, 마이크로투나노 입장에선 호재다.

SK하이닉스는 올해 HBM 캐파(CAPA, 생산능력)를 지난해 대비 2배 확대할 계획이다. 서플라이 현황을 고려해 추가 투자를 결정하겠다는 방침이다. 업계에서는 올해 SK하이닉스가 HBM 등 패키징 설비에 약 10억 달러를 투자할 것으로 보고 있다. 올해 전체 지출추정액(105억 달러) 가운데 10%에 달한다.

HBM의 최하단 D램의 경우 별도의 패키징이 이뤄지지만, 그 위에 쌓이는 D램은 일반 공정에 쓰이는 EDS용 프로브카드를 사용한다. 마이크로투나노가 D램용 EDS 프로브카드와 HBM용 프로브카드 납품에 공을 들이는 이유다.

미래 성장 잠재력도 상당하다. SK하이닉스는 지난 3일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 2028년까지 38억7000만 달러(약 5조2000억 원)를 투자해 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 건설한다고 발표했다. 차세대 HBM 등 AI향 메모리 생산이 주 목적이다. SK하이닉스가 평택, 청주, 미국 등으로 HBM 생산 시설을 확충하는 가운데, 마이크로투나노의 기회도 확대되는 셈이다.

다만 마이크로투나노 관계자는 “고객사와 관련된 사항은 현재 언급할 수 없다”며 “1분기 실적 발표와 공식적인 소통 시간(기업 IR)을 마련할 계획인 만큼 그때 확인해 달라”고 전했다.

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